型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
-
品类: IGBT晶体管描述: INFINEON SGP02N120XKSA1 单晶体管, IGBT, 6.2 A, 3.1 V, 62 W, 1.2 kV, TO-220, 3 引脚91165+¥21.563150+¥20.6416200+¥20.1256500+¥19.99661000+¥19.86752500+¥19.72015000+¥19.62807500+¥19.5358
-
品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 3Pin(3+Tab) TO-220 Rail724110+¥9.9360100+¥9.4392500+¥9.10801000+¥9.09142000+¥9.02525000+¥8.94247500+¥8.876210000+¥8.8430
-
品类: IGBT晶体管描述: 分离式 IGBT,Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。52715+¥20.615450+¥19.7344200+¥19.2410500+¥19.11771000+¥18.99442500+¥18.85345000+¥18.76537500+¥18.6772
-
品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 139000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube473710+¥9.1560100+¥8.6982500+¥8.39301000+¥8.37772000+¥8.31675000+¥8.24047500+¥8.179410000+¥8.1488
-
品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 179000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube668810+¥11.0760100+¥10.5222500+¥10.15301000+¥10.13452000+¥10.06075000+¥9.96847500+¥9.894610000+¥9.8576
-
品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 500V 45000mW 3Pin(3+Tab) TO-220FL Tube66721+¥47.531210+¥44.8040100+¥42.7781250+¥42.4664500+¥42.15471000+¥41.80412500+¥41.49245000+¥41.2976
-
品类: IGBT晶体管描述: 功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power Modules59535+¥23.376650+¥22.3776200+¥21.8182500+¥21.67831000+¥21.53842500+¥21.37865000+¥21.27877500+¥21.1788
-
品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IKP20N60T 单晶体管, IGBT, 通用, 40 A, 2.05 V, 166 W, 600 V, TO-220, 3 引脚357510+¥11.1480100+¥10.5906500+¥10.21901000+¥10.20042000+¥10.12615000+¥10.03327500+¥9.958910000+¥9.9217
-
品类: IGBT晶体管描述: ON SEMICONDUCTOR NGP15N41CLG 单晶体管, IGBT, 15 A, 440 V, 107 W, 440 V, TO-220, 3 引脚96311+¥79.200510+¥75.7570100+¥75.1372250+¥74.6551500+¥73.89751000+¥73.55322500+¥73.07115000+¥72.6579
-
品类: IGBT晶体管描述: 点火IGBT 15安培, 410伏 Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts60161+¥69.080510+¥66.0770100+¥65.5364250+¥65.1159500+¥64.45511000+¥64.15482500+¥63.73435000+¥63.3739
-
品类: IGBT晶体管描述: 点火IGBT 15安培, 410伏特N沟道TO- 220和D2PAK Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts N-Channel TO-220 and D2PAK231610+¥11.9880100+¥11.3886500+¥10.98901000+¥10.96902000+¥10.88915000+¥10.78927500+¥10.709310000+¥10.6693
-
品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立,STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。88285+¥6.048025+¥5.600050+¥5.2864100+¥5.1520500+¥5.06242500+¥4.95045000+¥4.905610000+¥4.8384
-
品类: IGBT晶体管描述: 20 A - 600 V - 短路崎岖IGBT 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT49775+¥29.565950+¥28.3024200+¥27.5948500+¥27.41801000+¥27.24112500+¥27.03895000+¥26.91267500+¥26.7862
-
品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立,STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。39265+¥4.131025+¥3.825050+¥3.6108100+¥3.5190500+¥3.45782500+¥3.38135000+¥3.350710000+¥3.3048
-
品类: IGBT晶体管描述: 单晶体管, IGBT, 14 A, 2.3 V, 75 W, 1.2 kV, TO-220AB, 3 引脚592010+¥11.1480100+¥10.5906500+¥10.21901000+¥10.20042000+¥10.12615000+¥10.03327500+¥9.958910000+¥9.9217
-
品类: IGBT晶体管描述: TO-220AB 整包72125+¥13.396550+¥12.8240200+¥12.5034500+¥12.42331000+¥12.34312500+¥12.25155000+¥12.19437500+¥12.1370
-
品类: IGBT晶体管描述: ON Semiconductor FGPF15N60UNDF N沟道 IGBT, 30 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-220F封装38435+¥2.295025+¥2.125050+¥2.0060100+¥1.9550500+¥1.92102500+¥1.87855000+¥1.861510000+¥1.8360
-
品类: IGBT晶体管描述: IGBT管/模块 STGF15M65DF2 TO-220FP-368055+¥5.872525+¥5.437550+¥5.1330100+¥5.0025500+¥4.91552500+¥4.80685000+¥4.763310000+¥4.6980
-
品类: IGBT晶体管描述: STMICROELECTRONICS STGF10NB60SD 单晶体管, IGBT, 20 A, 1.8 V, 25 W, 600 V, TO-220FP, 3 引脚34395+¥12.261650+¥11.7376200+¥11.4442500+¥11.37081000+¥11.29742500+¥11.21365000+¥11.16127500+¥11.1088
-
品类: IGBT晶体管描述: STMICROELECTRONICS STGF10NC60KD 单晶体管, IGBT, 9 A, 2.5 V, 25 W, 600 V, TO-220FP, 3 引脚394510+¥9.3720100+¥8.9034500+¥8.59101000+¥8.57542000+¥8.51295000+¥8.43487500+¥8.372310000+¥8.3411
-
品类: IGBT晶体管描述: INTERNATIONAL RECTIFIER IRGB4062DPBF IGBT Single Transistor, 48A, 1.65V, 250W, 600V, TO-220, 3Pins77035+¥26.395250+¥25.2672200+¥24.6355500+¥24.47761000+¥24.31972500+¥24.13925000+¥24.02647500+¥23.9136
-
品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 160000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube330210+¥8.7120100+¥8.2764500+¥7.98601000+¥7.97152000+¥7.91345000+¥7.84087500+¥7.782710000+¥7.7537
-
品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IRG4BC30WPBF 单晶体管, IGBT, 23 A, 2.7 V, 100 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚70195+¥12.460550+¥11.9280200+¥11.6298500+¥11.55531000+¥11.48072500+¥11.39555000+¥11.34237500+¥11.2890
-
品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 49A 160000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube503310+¥8.7120100+¥8.2764500+¥7.98601000+¥7.97152000+¥7.91345000+¥7.84087500+¥7.782710000+¥7.7537
-
品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立,STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。920210+¥7.2000100+¥6.8400500+¥6.60001000+¥6.58802000+¥6.54005000+¥6.48007500+¥6.432010000+¥6.4080
-
品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立,STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块,STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。75355+¥14.250650+¥13.6416200+¥13.3006500+¥13.21531000+¥13.13002500+¥13.03265000+¥12.97177500+¥12.9108
-
品类: IGBT晶体管描述: ON Semiconductor ISL9V3040P3 N沟道 IGBT, 21 A, Vce=450 V, 3引脚 TO-220AB封装40475+¥13.057250+¥12.4992200+¥12.1867500+¥12.10861000+¥12.03052500+¥11.94125000+¥11.88547500+¥11.8296
-
品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IRGB20B60PD1PBF 单晶体管, IGBT, 40 A, 2.35 V, 215 W, 600 V, TO-220AB, 3 引脚77365+¥4.846525+¥4.487550+¥4.2362100+¥4.1285500+¥4.05672500+¥3.96705000+¥3.931110000+¥3.8772
-
品类: IGBT晶体管描述: IGBT管/模块 IRGI4061DPBF TO-220F895810+¥6.6480100+¥6.3156500+¥6.09401000+¥6.08292000+¥6.03865000+¥5.98327500+¥5.938910000+¥5.9167